martedì, Aprile 20, 2021
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La prima tecnologia 1α DRAM del settore

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Micron Technology ha annunciato la spedizione di prodotti DRAM a nodo 1α (1-alpha), creati usando la tecnologia di processo DRAM più avanzata al mondo e offrendo importanti miglioramenti in densità dei bit, potenza e prestazioni.

Questa pietra miliare va a potenziare la forza competitiva di Micron e si aggiunge alle sue recenti innovazioni: la memoria grafica più veloce al mondo e la NAND a 176 livelli.
Micron ha intenzione di integrare il nodo 1α nella sua gamma di prodotti DRAM quest’anno per supportare tutti gli ambienti che oggi usano la DRAM.

Le applicazioni di questa nuova tecnologia DRAM sono ampie e di vasta portata, migliorando le prestazioni dai dispositivi mobili ai veicoli intelligenti.

Il nodo di memoria avanzata di Micron supporta densità da 8 a 16 GB, offrendo la flessibilità di supportare molti degli attuali prodotti DDR4 e LPDDR4 di Micron, offrendo al tempo stesso ai client server, networking e reti integrate di Micron il supporto ai prodotti esteso, affidabile e a basso consumo di cui hanno bisogno.

Questa longevità riduce il costo della riqualificazione dei clienti entro i cicli di vita dei loro prodotti. Garantisce anche un minor costo totale di proprietà nel corso della vita del sistema negli scenari dei casi d’uso come soluzioni integrate automotive, PC industriali e server edge che generalmente hanno durate maggiori.

Il nodo DRAM 1α di Micron consentirà di sviluppare soluzioni di memoria a minor consumo energetico e fornirà velocità operative LPDDR5 più rapide per piattaforme per dispositivi mobili che richiedono prestazioni LPDRAM best-in-class.

L’innovazione di Micron ha reso possibile la DRAM per dispositivi mobili a minor consumo energetico nel settore, con un miglioramento del 15% nel risparmio energetico (rispetto alla precedente generazione di DRAM per dispositivi mobili Micron 1z ), consentendo agli utenti di dispositivi mobili 5G di eseguire più attività con i propri smartphone senza dover sacrificare la durata della batteria.

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Questo traguardo con nodo 1α conferma l’eccellenza di Micron nel campo della DRAM ed è un risultato diretto dell’impegno assoluto di Micron nella tecnologia e nel design più all’avanguardia”, ha dichiarato Scott DeBoer, vice presidente esecutivo di tecnologia e dei prodotti di Micron. “Con un miglioramento del 40% nella densità di memoria rispetto al nostro precedente nodo DRAM 1z, questo miglioramento creerà un fondamento solido per i prodotti futuri e l’innovazione della memoria”.

La nostra nuova tecnologia DRAM alimenterà la DRAM per dispositivi mobili a minor consumo e porterà i vantaggi del nostro portafoglio DRAM a data center, clienti, consumatori e clienti nei settori industriale e automotive”, ha dichiarato Sumit Sadana, vice presidente esecutivo e chief business officer di Micron. “Grazie alla nostra leadership nel settore delle tecnologie DRAM e NAND, Micron è nella posizione ideale per sfruttare la crescita di memoria e archiviazione, che ci si aspetta essere i segmenti più a rapida crescita nel settore dei semiconduttori nel prossimo decennio”.

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