martedì, Aprile 20, 2021
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MOSFET da 650V in carburo di silicio

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ON Semiconductor ha annunciato una nuova gamma di MOSFET in carburo di silicio (SiC) da utilizzare in applicazioni particolarmente complesse dove densità di potenza, efficienza e affidabilità rivestono un ruolo chiave.

Utilizzando i nuovi dispositivi SiC al posto dei tradizionali componenti in silicio nelle applicazioni di commutazione, i progettisti possono ottenere prestazioni nettamente migliori in applicazioni quali veicoli elettrici (EV), caricatori OBC (On Board Charger), inverter fotovoltaici, unità di alimentazione (PSU) per server, telecomunicazioni e gruppi di continuità (UPS – Uninterruptible Power Supply).

I nuovi MOSFET SiC da 650V di ON Semiconductor, qualificati per l’uso industriale e conformi alle normative AECQ101 in vigore nel settore automobilistico, sono basati su un nuovo materiale ad ampia banda proibita (WBG – Wide Band Gap) che assicura prestazioni di commutazione più elevate e migliori caratteristiche termiche rispetto al silicio.

Ciò comporta numerosi vantaggi tra cui maggiore efficienza a livello di sistema, aumento della densità di potenza, riduzione delle interferenze elettromagnetiche (EMI) e diminuzione delle dimensioni e del peso del sistema.

Questa nuova generazione di MOSFET SiC adotta un progetto innovativo della cella attiva abbinato a un’avanzata tecnologia a film sottile che consente di ottenere la migliore figura di merito Rsp (RDS(on) x area attiva) per tensioni di breakdown di 650V.

I modelli NVBG015N065SC1, NTBG015N065SC1, NVH4L015N065SC1 e NTH4L015N065SC1 sono caratterizzati dal più basso valore di RDS(on) (12 mOhm) nei package D2PAK7L e TO247.

La tecnologia messa a punto da ON Semiconductor può vantare figure di merito ottimizzate per quel che riguarda le perdite di energia, garantendo così le migliori prestazioni nelle applicazioni industriali e automotive.

Un resistore di gate (Rg) interno assicura una maggiore flessibilità in fase di progetto, eliminando la necessità di rallentare artificialmente i dispositivi per mezzo di resistori di gate esterni.

Possibilità di resistere a sovratensioni transitorie (surge) più elevate, migliore risposta all’effetto valanga e maggiore resistenza nei confronti dei corto circuiti, contribuiscono a migliorare la robustezza, con conseguente aumento dell’affidabilità e della durata dei dispositivi.

Commenti

Nel commentare l’introduzione di questi nuovi MOSFET in carburo di silicio Asif Jalwani, senior vice president della Advanced Power Division di ON Semiconductor ha tra l’altro commentato: “Nelle moderne applicazioni di potenza come ad esempio i caricatori OBC per le vetture elettriche e in numerosi altri comparti, compresi quelli delle energie rinnovabili, dell’elaborazione a livello aziendale e delle telecomunicazioni, l’efficienza, l’affidabilità e la densità di potenza sono tutti fattori critici di progetto. Questi nuovi MOSFET SiC permettono di ottenere prestazioni nettamente migliori rispetto agli analoghi componenti in silicio nelle applicazioni di commutazione, consentendo ai progettisti di conseguire i loro obiettivi. Il miglioramento delle prestazioni consente di diminuire le perdite, con conseguente incremento dell’efficienza e diminuzione sia degli oneri legati alla gestione termica sia delle interferenze elettromagnetiche (EMI). L’adozione di questi nuovi MOSFET SiC consente, in definitiva, di realizzare soluzioni di potenza più piccole, leggere, efficienti e affidabili”.

Per informazioni clicca qui

 

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