venerdì, Ottobre 22, 2021
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MOSFET di potenza a supergiunzione da 650 V in package TOLL

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Toshiba ha annunciato cinque MOSFET di potenza a supergiunzione da 650 V alloggiati nel nuovo package SMD compatto in formato TO-leadless (TOLL).

Misurando appena 9,9 x 11,68 x 2,3 mm, i dispositivi TK065U65Z, TK090U65Z, TK110U65Z, TK155U65Z e TK190U65Z presentano un ingombro inferiore del 27% rispetto al package D2PAK convenzionale.

Le applicazioni tipiche includono gli alimentatori per server nei data center, i convertitori di potenza fotovoltaici (FV), i gruppi di continuità (UPS) e altre applicazioni industriali.

La gamma è stata ampliata con i prodotti della serie DTMOS VI con bassa resistenza On di appena 65 mΩ.

Inoltre, il package a 4 pin include l’opzione di una sorgente Kelvin. Questa funzionalità è in grado di ridurre l’induttanza parassita del terminale di source nel package e di migliorare l’efficienza di commutazione sopprimendo l’oscillazione.

Rispetto al TK090N65Z, un dispositivo con tensione e resistenza di on equivalenti che utilizza il package TO-247 senza connessione Kelvin, il TK090U65Z è caratterizzato da una perdita di commutazione all’accensione inferiore del 68% e da una perdita di commutazione allo spegnimento ridotta di circa il 56%.

L’utilizzo dell’ultima generazione della serie di MOSFET di potenza a supergiunzione DTMOS VI da 650 V con il package TOLL aiuterà gli ingegneri a ridurre le dimensioni e a migliorare l’efficienza delle loro apparecchiature finali.

La tecnologia DTMOS VI punta alla massima efficienza di commutazione con la migliore figura di merito: Rds (on) x Qdg della propria categoria.

Per informazioni clicca qui

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