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giovedì, Agosto 5, 2021
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CoolGaN IPS per applicazioni nella gamma di potenza da 30 a 500 W

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Infineon Technologies aggiunge la nuova famiglia CoolGaN IPS (Integrated Power Stage) al suo ampio portafoglio di dispositivi di potenza WBG (wide bandgap) di nitruro di gallio (GaN) che consentono un’eccellente efficienza e un’elevata frequenza di commutazione, avviando una nuova era nell’elettronica di potenza.

Il portafoglio IPS iniziale è costituito da prodotti half-bridge e single-channel, destinati ad applicazioni di potenza medio-bassa, inclusi caricabatterie e adattatori e alimentatori SMPS (switched-mode power supplies).

L’IPS IGI60F1414A1L half-bridge CoolGaN da 600 V è ideale per progetti compatti e leggeri nella gamma di potenza medio-bassa.

Disponibile in un package QFN-28 8×8 termicamente migliorato, consente sistemi con densità di potenza molto elevata.

Il prodotto combina due switch HEMT e-mode CoolGaN da 140 mΩ/600 V con gate driver isolati galvanicamente high-side e low-side dedicati dalla famiglia EiceDRIVER di Infineon.

L’IGI60F1414A1L è facile da controllare grazie al gate driver isolato con due ingressi PWM digitali.

La funzione di isolamento integrata, la netta separazione tra digitale e alimentazione e la ridotta complessità del layout del PCB sono fondamentali per ottenere tempi di sviluppo più brevi, una distinta base del sistema inferiore e un costo totale inferiore.

L’isolamento input-to-output del gate driver si basa sulla comprovata tecnologia di coreless transformer (CT) su chip di Infineon. Ciò garantisce alta velocità ed eccellente robustezza anche per transitori di commutazione estremamente veloci con pendenze di tensione superiori a 150 V/ns.

Il comportamento di commutazione dell’IGI60F1414A1L può essere facilmente adattato alle esigenze di diverse applicazioni mediante pochi componenti passivi del percorso del gate. Ciò consente l’ottimizzazione della velocità di risposta, ad esempio, per ridurre gli sforzi di interferenza elettromagnetica (EMI), l’impostazione della corrente di gate allo stato stazionario e l’azionamento del gate negativo per un funzionamento robusto in applicazioni hard-switched.

Inoltre, grazie all’integrazione system-in-package e al ritardo di propagazione estremamente preciso e stabile dei gate driver, l’IGI60F1414A1L consente tempi morti di sistema minimi. Ciò aiuta a massimizzare l’efficienza del sistema, portando al livello successivo di densità di potenza fino a 35 W/in³ per le soluzioni di caricabatterie e adattatori. I progetti flessibili, facili e veloci sono abilitati anche per altre applicazioni, tra cui la topologia risonante LLC e gli azionamenti per motori.

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