venerdì, Ottobre 22, 2021
Home Comunicazione 5G GaN a moduli multi-chip 5G per reti mobili ad alta efficienza energetica

GaN a moduli multi-chip 5G per reti mobili ad alta efficienza energetica

4
(1)

NXP Semiconductors ha annunciato un’importante pietra miliare del settore per l’efficienza energetica 5G con l’integrazione della tecnologia al nitruro di gallio (GaN) nella sua piattaforma di moduli multi-chip.

Basandosi sull’investimento dell’azienda nella sua fabbrica GaN in Arizona, la fabbrica più avanzata dedicata agli amplificatori di potenza RF negli Stati Uniti, NXP è la prima ad annunciare soluzioni RF per MIMO massivo 5G che combinano l’elevata efficienza di GaN con la compattezza dei moduli multi-chip.

La riduzione del consumo energetico è un obiettivo importante per le infrastrutture di telecomunicazione, dove ogni punto di efficienza conta. L’uso di GaN nei moduli multi-chip aumenta l’efficienza della linea fino al 52% a 2,6 GHz, 8 punti percentuali in più rispetto alla precedente generazione di moduli dell’azienda. E NXP ha ulteriormente migliorato le prestazioni con una combinazione proprietaria di LDMOS e GaN in un unico dispositivo, offrendo 400 MHz di larghezza di banda istantanea che rende possibile progettare radio a banda larga con un singolo amplificatore di potenza.

Questa efficienza energetica e prestazioni a banda larga sono ora disponibili nel piccolo ingombro dei moduli multi-chip 5G di NXP.

Il nuovo portafoglio consentirà agli sviluppatori RF di ridurre le dimensioni e il peso delle unità radio, aiutando gli operatori di rete mobile a ridurre i costi di implementazione del 5G su torri cellulari e tetti.

In un unico package, i moduli integrano una catena di trasmissione multistadio, reti di adattamento in/out da 50 ohm e un combinatore Doherty, inoltre NXP sta ora aggiungendo il controllo del bias utilizzando la sua più recente tecnologia SiGe.

Questo nuovo passo nell’integrazione elimina la necessità di un circuito integrato di controllo analogico separato e fornisce un monitoraggio e un’ottimizzazione più rigorosi delle prestazioni dell’amplificatore di potenza.

Come la precedente generazione di moduli, i nuovi dispositivi sono compatibili pin-to-pin. Gli ingegneri RF possono scalare rapidamente un singolo progetto di amplificatore di potenza su più bande di frequenza e livelli di potenza, riducendo i tempi del ciclo di progettazione e accelerando il lancio del 5G in tutto il mondo.

Commenti

NXP ha sviluppato un toolbox tecnologico unico dedicato all’infrastruttura 5G che include LDMOS, GaN e SiGe proprietari, oltre a packaging avanzato e IP di progettazione RF. Questo ci consente di sfruttare i vantaggi di ciascun elemento e combinarli nel modo più ottimale per ogni caso d’uso“. Paul Hart, Vice Presidente Esecutivo e Direttore Generale della Business Line Radio Power presso NXP.

Per informazioni clicca qui 

Quanto hai trovato interessante questo articolo?

Voto medio 4 / 5. Numero valutazioni: 1

Ancora nessuna valutazione! Valuta per primo questo articolo.

Registrati anche tu su Elettronica TECH!
Ecco i vantaggi esclusivi per gli utenti registrati:
- GRATIS abbonamento alla rivista Elettronica AV
- ricezione in tempo reale degli aggiornamenti
- possibilità di recensire e commentare gli articoli
ISCRIVITI SUBITO!

ULTIME NEWS

ABBONAMENTO

PARTNER

MERCATO

SOCIAL

EVENTI

Registrati anche tu su Elettronica TECH!
Ecco i vantaggi esclusivi per gli utenti registrati:
- GRATIS abbonamento alla rivista Elettronica AV
- ricezione in tempo reale degli aggiornamenti
- possibilità di recensire e commentare gli articoli
ISCRIVITI SUBITO!