lunedì, Dicembre 5, 2022
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Dispositivi di potenza RF al nitruro di gallio (GaN)

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Microchip Technology ha annunciato una significativa espansione del proprio portafoglio di dispositivi di potenza a radiofrequenza (RF) al nitruro di gallio (GaN) con nuovi MMIC (Monolithic Microwave Integrated Circuits) e transistor discreti che coprono frequenze fino a 20 GHz.

I dispositivi combinano un’elevata PAE (Power-Added Efficiency) e un’elevata linearità per offrire nuovi livelli di prestazioni in applicazioni che vanno dal 5G alle comunicazioni satellitari, sistemi radar commerciali e di difesa e apparecchiature di test.

Come tutti i prodotti di potenza GaN RF di Microchop, i dispositivi sono fabbricati utilizzando la tecnologia GaN-on-silicon carbide che fornisce la migliore combinazione di densità e resa alle alte potenza, nonché funzionamento ad alta tensione e longevità di oltre 1 milione di ore a un temperatura di giunzione 255° C.

I nuovi dispositivi MMIC GaN coprono frequenze da 2 a 18 GHz, da 12 a 20 GHz e da 12 a 20 GHz con 3 dB di Compression Point (P3dB) con potenza di uscita RF fino a 20 W ed efficienza fino al 25%, nonché circuiti bare die e amplificatori GaN MMIC per banda S e X con PAE fino al 60% e, infine, transistor HEMT (high electron mobility transistor) discreti che funzionano dalla DC fino a 14 GHz con P3dB di potenza di uscita RF fino a 100 W ed efficienza massima del 70%.

Il portafoglio di semiconduttori RF di Microchip, oltre ai dispositivi GaN, spazia dagli amplificatori e moduli RF GaAs (Arseniuro di Gallio) agli amplificatori a basso rumore, moduli front-end (RFFE), varactor, Schottky e diodi PIN, interruttori RF e attenuatori di tensione variabile. Inoltre, l’azienda fornisce sensori SAW (Surface Acoustic Wave) ad alte prestazioni e oscillatori MEMS e moduli altamente integrati che combinano microcontrollori (MCU) con ricetrasmettitori RF (Wi-Fi MCU) che supportano i principali protocolli wireless dal Bluetooth al Wi-Fi a LoRa

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Microchip continua a investire nella nostra famiglia di prodotti GaN RF per supportare ogni applicazione a tutte le frequenze, dalle microonde alle lunghezze d’onda millimetriche, e il nostro portafoglio di prodotti comprende più di 50 dispositivi, dai livelli a bassa potenza a 2,2 kW”, ha affermato Leon Gross, vice president di Microchip discrete products business unit. “I prodotti annunciati vanno da 2 a 20 GHz e sono progettati per soddisfare le sfide di linearità ed efficienza poste dalle tecniche di modulazione di ordine superiore impiegate nel 5G e in altre reti wireless, nonché le esigenze uniche delle comunicazioni satellitari e delle applicazioni di difesa“.

Per informazioni clicca qui 

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