mercoledì, Giugno 29, 2022
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MOSFET di potenza da 150V migliora l’efficienza di alimentazione

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Toshiba Electronics Europe ha lanciato un nuovo MOSFET di potenza a canale N da 150V che utilizza il processo U-MOSX-H di ultima generazione per ridurre significativamente le perdite.

Inoltre, sono stati ridotti i picchi di tensione tra drain e source in fase di commutazione, con un conseguente miglioramento delle prestazioni EMI negli alimentatori a commutazione.

Il nuovo dispositivo si presta per un’ampia gamma di applicazioni, che includono gli alimentatori a commutazione all’interno di apparecchiature industriali, comprese le applicazioni nelle stazioni base per le comunicazioni e nei data center.

Il nuovo MOSFET TPH9R00CQH presenta una resistenza di on al drain-source (RDS(ON)) molto bassa, pari ad appena 9,0mΩ (max. @ VGS=10V).

Ciò rappresenta una riduzione di circa il 42% rispetto al prodotto esistente da 150V (TPH1500CNH) basato sul processo U-MOSVIII-H di ultima generazione.

Le principali figure di merito (FoM), che includono RDS(ON) x QSW e RDS(ON) x QOSS, sono state ridotte rispettivamente di circa il 20% e il 28%, migliorando così ulteriormente le prestazioni.

Le caratteristiche di carica sono state migliorate attraverso un’attenta ottimizzazione della struttura del dispositivo.

Con una carica totale di gate (Qg) di soli 44nC e una carica immagazzinata nel gate (QSW) di 11,7nC, il dispositivo offre prestazioni eccellenti, soprattutto nelle applicazioni ad alta velocità.

Il nuovo TPH9R00CQH offre due opzioni di package a montaggio superficiale (SMD): SOP Advance (5,0 x 6,0 mm) e SOP Advance(N) (4,9 x 6,1 mm), che possono essere selezionate per soddisfare le esigenze di qualsiasi applicazione.

Per informazioni clicca qui 

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