lunedì, Luglio 4, 2022
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I MOSFET MDmesh aumentano la densità di potenza e l’efficienza

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I nuovi MOSFET di potenza STPOWER MDmesh M9 e DM9 di STMicroelectronics (in silicio, multi-drain, a supergiunzione e a canale N) sono ideali per gli alimentatori SMPS (Switched-Mode Power Supplies) in applicazioni dai server di data center e dall’infrastruttura 5G ai televisori a schermo piatto.

I primi dispositivi ad essere lanciati sono il STP65N045M9 da 650V e il STP60N043DM9 da 600V. Entrambi hanno una resistenza all’accensione molto bassa (RDS(on)) per unità di area, che massimizza la densità di potenza e consente dimensioni compatte del sistema.

Ciascuno ha il miglior RDS(on) (RDS(on)max) massimo nella sua categoria, a 45 mΩ per STP65N045M9 e 43 mΩ per STP60N043DM9.

Con una carica di gate (Qg) molto bassa, tipicamente 80 nC a una tensione di drain di 400 V, questi dispositivi hanno la migliore FoM (figure of merit) attualmente disponibile (RDS(on)max x Qg).

La tensione di soglia del gate (VGS(th)), tipicamente 3,7 V per STP65N045M9 e 4,0 V per STP60N043DM9, riduce al minimo le perdite di commutazione di accensione e spegnimento rispetto ai precedenti MDmesh M5 e M6/DM6.

Le serie MDmesh M9 e DM9 presentano anche una carica di ripristino inversa (Qrr) e un tempo di ripristino inverso (trr) molto bassi, che contribuiscono ulteriormente a migliorare l’efficienza e le prestazioni di commutazione.

Un’ulteriore caratteristica delle ultime tecnologie MDmesh ad alta tensione di ST è un ulteriore processo di diffusione del platino che garantisce un diodo a corpo intrinseco veloce.

La pendenza del picco di recupero del diodo (dv/dt) è maggiore rispetto ai processi precedenti.

Tutti i dispositivi appartenenti alla tecnologia MDmesh DM9 sono estremamente robusti e possono resistere a dv/dt fino a 120V/ns a 400V.

I nuovi dispositivi MDmesh M9 e DM9 di ST, STP65N045M9 e STP60N043DM9, sono entrambi in un package TO-220.

Per informazioni su MDmesh M9 clicca qui 

Per informazioni su MDmesh DM9 clicca qui  

 

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