lunedì, Dicembre 5, 2022
Gamma completa di dispositivi HEMT al GaN da 650 V

Gamma completa di dispositivi HEMT al GaN da 650 V

Innoscience Technology ha annunciato il lancio di una gamma completa di dispositivi HEMT al GaN da 650 V funzionanti in modalità di arricchimento (“E-mode”).Nuovi dispositivi con RDS(on) di 190 mΩ, 350 mΩ o 600...

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Innoscience esordisce in Europa al PCIM Europe come ‘il più grande produttore mondiale di dispositivi “GaN on Si” da 8 pollici’

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