Toshiba Electronics Europe ha annunciato la disponibilità in volumi dei suoi nuovi MOSFET al carburo di silicio (SiC) da 650 V di terza generazione TW031V65C, TW054V65C, TW092V65C e TW123V65C.
Questi dispositivi sono alloggiati in package DFN8x8 a montaggio superficiale, una scelta che consente di ridurre drasticamente l’ingombro e di ottimizzare la densità di potenza.
La nuova serie è destinata ad applicazioni industriali ad alta efficienza energetica, come alimentatori a commutazione, stazioni di ricarica per veicoli elettrici, UPS e inverter fotovoltaici.
Performance elevate grazie a una bassa figura di merito
Uno degli aspetti distintivi della nuova famiglia di MOSFET SiC è la bassa figura di merito, ottenuta minimizzando il prodotto tra la resistenza RDS(ON) e la carica gate-drain Qgd.
Questa caratteristica permette un‘elevata efficienza di commutazione, ideale per sistemi in cui è fondamentale contenere le perdite energetiche.
Inoltre, il basso coefficiente di temperatura della RDS(ON) garantisce prestazioni termiche stabili anche in condizioni operative gravose, facilitando il design termico dei dispositivi di potenza.
Package compatto DFN8x8: oltre il 90% di volume in meno
Il passaggio al package DFN8x8 rappresenta una svolta in termini di miniaturizzazione e automazione della produzione.
Rispetto ai package tradizionali a foro passante come TO-247 e TO-247-4L(X), il DFN8x8 riduce il volume del componente di oltre il 90%.
Oltre a consentire l’assemblaggio automatizzato, il montaggio superficiale riduce l’impedenza parassita, migliorando ulteriormente le performance di commutazione e l’efficienza complessiva del sistema.
Commutazione veloce e meno perdite grazie alla connessione Kelvin
Un ulteriore vantaggio tecnologico risiede nella struttura multi-pin che permette l’adozione di una connessione Kelvin per il pin di source del gate driver.
Questo accorgimento riduce l’influenza dell’induttanza parassita, aumentando la velocità di commutazione.
Test comparativi sul modello TW054V65C evidenziano una riduzione della perdita di accensione del 55% e della perdita di spegnimento del 25% rispetto ai dispositivi precedenti di Toshiba, portando a un significativo miglioramento dell’efficienza energetica delle apparecchiature industriali.
Soluzioni adatte alla miniaturizzazione dei sistemi
Grazie alla ridotta generazione di calore, questi nuovi dispositivi facilitano la progettazione di sistemi più compatti e semplici, senza compromettere le prestazioni.
Sono quindi particolarmente adatti per applicazioni in cui lo spazio è un vincolo progettuale, contribuendo al contempo alla realizzazione di soluzioni più sostenibili ed efficienti.
Toshiba prosegue il suo impegno nell’espansione della gamma SiC, rispondendo alle richieste di un mercato in continua evoluzione e sempre più orientato alla massimizzazione dell’efficienza energetica e della densità di potenza.
