Efficient Power Conversion (EPC), azienda leader nel settore dei dispositivi in nitruro di gallio (GaN), ha annunciato l’introduzione del nuovo transistor EPC2366, progettato per rivoluzionare le applicazioni a bassa tensione finora dominate dai MOSFET in silicio.
Con una tensione di 40 V e una resistenza RDS(on) estremamente bassa di 0,8 mΩ, il nuovo dispositivo offre una soluzione ad alte prestazioni per convertitori DC-DC, raddrizzatori sincroni e azionamenti per motori.
Figura di merito ai vertici del settore e zero tempo di recupero
Il transistor EPC2366 si distingue per una figura di merito RDS(on) x QG pari a 10 mΩ-nC, tra le migliori oggi disponibili nel mercato dei dispositivi a bassa tensione.
Grazie al tempo di recupero inverso nullo e a un’efficienza termica superiore, il dispositivo consente una commutazione nettamente più rapida rispetto ai tradizionali MOSFET, contribuendo così alla realizzazione di architetture più compatte, reattive ed efficienti.
Più compattezza e densità grazie al package PQFN
Con un ingombro di soli 3,3 mm x 2,6 mm, l’EPC2366 adotta un package PQFN compatto che ben si presta all’uso in sistemi ad alta densità di potenza.
L’elevata frequenza di commutazione raggiungibile consente una drastica riduzione dei componenti passivi, rendendolo ideale per convertitori a 48 V ad alte prestazioni impiegati nei server per intelligenza artificiale, nei sistemi di rete dati e nei raddrizzatori sincroni operanti a frequenze elevate.
Anche i sistemi di azionamento motore a 24 V alimentati a batteria beneficiano delle performance superiori offerte dalla tecnologia GaN.
Una nuova era per il GaN nelle basse tensioni
Con l’introduzione dell’EPC2366, EPC rafforza la propria strategia volta ad ampliare l’adozione dei dispositivi GaN nelle applicazioni a bassa tensione, storicamente presidiate dal silicio.
“Stiamo rendendo molto conveniente l’utilizzo dei dispositivi in GaN in applicazioni a bassa tensione, che sono state a lungo dominate dai componenti in silicio”, ha affermato Alex Lidow, CEO e cofondatore di EPC.
Il nuovo transistor rappresenta un primo passo verso una gamma sempre più ampia di soluzioni in GaN che promettono di elevare ulteriormente le prestazioni nei sistemi di potenza compatti.
