Gli interruttori GaN bidirezionali rivoluzionano la gestione della potenza
di Thomas Zhao, Director of R&D; David Zhou, Vice-President of R&D; Felix Wang: Vice-President of Product Development; e Dott. Jan Šonský, Vice-President of Engineering, InnoscienceIl blocco della tensione e la conduzione della corrente bidirezionali...
Gamma completa di dispositivi HEMT al GaN da 650 V
Innoscience Technology ha annunciato il lancio di una gamma completa di dispositivi HEMT al GaN da 650 V funzionanti in modalità di arricchimento (“E-mode”).Nuovi dispositivi con RDS(on) di 190 mΩ, 350 mΩ o 600...
Dispositivi GaN: esordio europeo per Innoscience
Innoscience esordisce in Europa al PCIM Europe come ‘il più grande produttore mondiale di dispositivi “GaN on Si” da 8 pollici’
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